掺杂技术是LED制作过程中非常重要的一个工序，深圳LED显示屏厂家-雷凌显示本文给大家详细普及下这方面的知识。
向化合物半导体单晶中掺杂杂质有各种不同的方法。在LPE法中，通过向熔液中添加 各种杂质，即可获得具有所要求的电导率、特定载流子浓度的单晶体。在VPE、MBE、 MOCVD方法中，或者使固态的杂质蒸发，或者添加含有杂质的气态化合物，以获得所要求 的电导率及载流子浓度等。
掺入杂质的量可以独立控制，重复性、可控制性都较好。正在研究开发的方法有，通过N2的团束向ZnSe中掺杂氮，利用电子束照射或退火使GaN中的Mg 活化，以及利用激光照射提高掺杂效率等。
当然，扩散掺杂仍然是最重要的掺杂方法之一。扩散掺杂法分闭管式（真空闭管式）和 开管式两种，后者操作简单，适合于大直径晶片及批量化生产。对于向ID - V族化合物的P 型掺杂，一般可进行Zn的扩散，而在闭管式扩散方式中，Zn及As,还有ZnAs2及GaAsZn都可以用作扩散源。
闭管式扩散法沿深度方向的浓度分布不太理想。在开管式扩散方式中，由于可获得高的Zn的蒸气压，在Sn及Ga熔液 中添加的Zn及样品上涂布的Zn的氧化物或GaAsZn都可以作为扩散源。 在开管式方式 中，沿深度方向杂质的浓度分布均匀，扩散前沿浓度界面清晰。Si的扩散相对于Zn来说需 要较髙的温度，在向AlGaAs的Zn及Si的扩散中，扩散深度及载流子浓度与A1的比例有关。
近年来，出现一些新的扩散方法，例如通过Zn及Si的离子注入层以及电子束（electron beam,EB)蒸镀的Si层，利用快速退火进行掺杂，但由于易产生晶体缺陷及结浅等，不适于 LED的制作。扩散用掩模一般用Bi02及SiN等,但由于它们与GaAs的热膨胀系数不同容 易造成应变等，在与掩模的界面处，会产生由扩散引起的所谓“鸟嘴”现象。为了防止其发 生，可用Si作扩散掩模，而在进行Si的扩散时，可以用Si膜作扩散源。
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